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存储芯片行业交流核心观点

发布时间:2026-02-20 02:49:50 人气: 来源:未知

  天富娱乐注册1:2026 年 1 月初至今,DRAM(包含 DDR4、DDR5)以及 NAND(包含 QLC、TLC)的实际涨价幅度是多少?2026 年第二季度到第四季度的涨价幅度预测是否有最新更新?

  2、2026 年第二季度到第四季度 DRAM 15%-20% 的涨幅是否覆盖所有品类?这个预测的前提条件是什么?

  2026 年 Q2-Q4 DRAM 15%-20% 的涨幅是针对 DDR4 与 DDR5 两大整体品类的综合预测,覆盖目前市场上所有主流规格型号。该预测的核心前提是三星、SK 海力士、美光三大国际 DRAM 供应商不调整现有市场策略,包括产能投放、定价机制、供货优先级等都保持当前状态。如果三大供应商出现产能扩张、调整供货结构或改变定价策略等情况,DRAM 整体涨幅可能偏离这个区间,其中 DDR4 受到二手库存影响,价格波动风险会更高。

  3、DDR5 后续是否会出现结构性涨幅差异,也就是涨幅会不会高于 DDR4?两者在产能和市场风险方面有什么不同?

  DDR5 后续会存在明显的结构性涨幅差异,涨幅大概率会高于 DDR4。当前 DDR5 需求和产能都处于高位,浪潮、新华三、超聚变等主流服务器厂商已经全面切换至 DDR5 需求,主流存储厂商产线 为主,产能持续向 DDR5 倾斜。DDR4 方面,2666、2933 等低频段型号已经停产,只有 32G 3200 主频还有少量全新产品,且大多为拆新或二手产品。尽管 DDR4 需求减少、产能同步缩减,价格依然看涨,但受到互联网大厂服务器下架释放的二手库存影响,2026 年 Q2-Q3 可能出现供需失衡从而压制价格,而DDR5 没有这类二手库存风险,价格走势更加稳定。

  4、HDD 产业链上游结构以及各环节价值量分布是怎样的?国内企业在其中的参与度如何?

  A:HDD 产业链上游呈现高度垄断的格局,全球市场中西数与希捷合计占据 90% 的市场份额,东芝占据剩余 10%,国内没有具备核心竞争力的 HDD 企业,无法形成有效竞争。该行业技术门槛极高,磁头、盘片等精密部件需要达到纳米级精度,而且核心专利被希捷、西数垄断,全球暂时没有企业能够突破。价值量主要集中在核心部件(磁头、盘片)以及品牌溢价,这两部分占据了大部分利润空间。国内企业参与度非常低,只能配套少量特定场景(比如华为冷备方案),市场规模极小,无法影响全球格局与价格。

  5、HDD 近期涨价幅度是多少?和 DDR5 同期涨幅相比有什么差异?涨价的主要原因是什么?

  A:HDD 近期涨价趋势明显,但涨幅低于 DRAM(尤其是 DDR5)和 NAND。以 4T HDD 为例,2025 年国庆前价格为 1300-1500 元,2026 年 2 月上涨至 2800-3000 元,三个月内涨幅接近 1 倍。同期 DDR5 32G 5600 型号从 5000 元涨至 8000 元,涨幅 60%,绝对值涨幅远超 HDD。HDD 涨价主要有两大原因:一是 AI 场景下温冷数据存储需求激增,部分场景使用 HDD 替代 SSD 以降低成本,带动需求上升;二是国内总代理控货抬价进行资本炒作,进一步推高了市场价格。

  6、当前存储产品价格是按照散单还是合约价计算?苹果与铠侠的季度议价是否属于传统合约价?

  当前 DRAM、NAND、HDD 等所有存储产品,实际交易都按照散单或供应商季度指导价计算,传统合约价已经在 2026 年国庆后正式失效。失效原因是存储价格波动周期短于合约谈判周期,合约价已经失去参考意义,例如三星 DDR4 3200 型号合约价约 1500 元,而市场散单价高达 2600 元,供应商更优先供应高价订单。苹果与铠侠的季度议价不属于传统合约价,实质是上游厂商单方面涨价(比如铠侠 NAND 价格翻倍),客户因为市场供需失衡只能被动接受,没有任何谈判空间。

  7、H 公司采购的 DRAM 和 NAND 用于数据中心建设的比例及未来趋势如何?整体采购占比有什么变化?

  H 公司 DRAM 和 NAND 的应用主要分为终端业务(CBG)和数据中心业务(EBG),其中终端业务营收约 3000 亿元,数据中心业务营收约 1000 亿元,两者营收比例大约为 3:1。但数据中心场景中 DRAM 和 NAND 的成本占比显著更高,一套 100 万元的存储设备里,硬盘占比约 70%,远高于终端产品(手机、笔记本中存储占比 40%-60%)。2026 年,H 公司 DRAM 和 NAND 采购金额占相关设备总成本的 30%-40%,相比往年 20% 以下的占比有明显提升,核心原因是存储价格上涨以及终端产品降配。未来随着 AI 数据中心需求持续增长,数据中心场景的存储占比将会进一步上升。

  H 公司存储采购受到实体清单限制,难以直接从三星、英特尔等国际厂商获取核心芯片,但仍然有少量采购,例如三星固态盘因为性能优势,客户愿意支付 30% 的溢价。其供应商结构主要分为两部分:国内方面,采用长江存储颗粒自主研发 SSD,供应忆联、大普微等国内品牌,同时采购这些国内厂商的整机硬盘,其中忆联价格与 H 品牌接近,大普微价格略高;国际方面,三星、英特尔仍有少量供应,但供应比例因为市场供需关系有所下降,且优先满足高性能场景的需求。

  9、如何看待长鑫存储被取消海外限制名单的事件?该事件对市场有什么影响?长期可能性如何?

  长鑫存储被取消海外限制名单的事件其实是乌龙事件,2026 年初相关政策发布后仅 1 小时就被撤回,长鑫存储、长江存储仍然处于实体清单内,核心限制并未解除,对当前市场没有实质影响。从长期来看,如果未来政策放开,北美市场可能会采购长鑫、长江存储的产品,以此压制国际厂商的过高价格,缓解当地市场供需失衡与价格压力。但短期来看,国内存储产能不足,产品需要优先满足国内市场需求,加上政治因素影响,长鑫、长江存储产品出口北美市场的可能性较低,长期需要完成技术自主化,才能通过欧洲、亚太市场打破国际垄断。

  华为磁电存储主要定位于冷数据归档,性能介于磁带与 HDD 之间,寻址速度达到几十微秒,优于磁带的几十秒,但寿命短于磁带(磁带寿命 20-30 年),而且需要持续供电,功耗高于磁带。研发进展方面,目前只有华为一家企业投入该技术研发,应用场景较为有限,不属于传统温冷数据或热数据存储场景,市场反响平淡,前端销售占比极低。市场前景方面,它难以替代磁带的寿命优势和 HDD 的成熟度优势,预计巅峰市场规模仅为小几十亿元,远低于当前 HDD 和 SSD 的市场规模,无法改变现有存储市场格局。

  11、DDR4 近期的价格走势有什么特点?涨价集中时段、具体型号价格及后续趋稳的时间节点是什么?

  DDR4 近期价格走势呈现 “前期暴涨、后期趋稳” 的特点,涨价主要集中在 2025 年国庆至元旦期间,核心涨价型号为 32G 2933,该型号价格从国庆前的约 6700 元,快速上涨至 12 月初的 12000 余元,涨幅超过 3 倍,涨价速度极快。2026 年 1 月之后,DDR4 价格逐渐趋于稳定,不再出现大幅波动,当前市场主流的 32G 3200 型号价格稳定在约 3300 元。后续 DDR4 整体仍呈看涨趋势,但受二手配件流通风险影响,价格波动可能性高于 DDR5,如果互联网大厂批量下架服务器,可能出现价格回调。

  12、DDR5 的涨价始于何时?核心型号的价格变化具体数据是什么?当前价格与 DDR4 相比有何优势或差异?

  DDR5 的涨价始于 2026 年元旦之后,相比 DDR4,它的涨价启动时间更晚,但涨幅更为显著。核心涨价型号为 32G 5600,该型号价格从 2025 年国庆前的约 800 元,逐步上涨至 2026 年 1 月的 5000 元,截至目前,价格已攀升至 8000 元,短短几个月内价格实现大幅增长。从当前价格来看,DDR5 32G 5600 型号价格已达到同规格 DDR4(32G 3200 型号约 3300 元)的两倍以上,价格差距明显,但因为主流服务器厂商全面切换需求,其市场需求和产能仍在持续提升,价格稳定性优于 DDR4。

  13、NAND 近期价格走势如何?核心代表型号的价格变化及涨价的驱动因素有哪些?国内外品牌涨价节奏有何不同?

  NAND 近期价格呈持续快速上涨趋势,以企业级 TLC 为主,核心代表型号为 H 品牌 3.84TB NVMe PCIe 4.0,该型号 2025 年国庆前价格约 2300 元,11 月涨至 3500 元,12 月涨至 4500 元,2026 年 1 月涨至 6500 元,当前价格已接近 9000 元,涨价节奏连贯且幅度较大。涨价核心驱动因素是颗粒成本上升,长江存储颗粒成本从 0.07 美元 / GB 上涨至 0.13-0.15 美元 / GB。三星、英特尔、铠侠等国际品牌更早启动涨价,忆恒创源、忆联、大普微等国内品牌随后跟随涨价,整体呈现 “国际领先、国内跟随”的格局。

  14、HDD 的市场垄断格局具体如何?国内企业为何难以参与竞争?其投资风险主要体现在哪里?

  HDD 市场呈现高度垄断格局,全球市场份额主要集中在三家国际企业,其中西数与希捷合计占据全球 90% 的市场份额,东芝占据剩余 10% 的市场份额,国内目前没有任何具备核心竞争力的 HDD 生产企业,无法参与全球市场竞争。国内企业难以参与竞争的核心原因是 HDD 行业技术门槛极高,磁头、盘片等精密部件需达到纳米级精度,且相关核心专利被西数、希捷垄断,全球范围内暂无企业能突破该技术壁垒。其投资风险主要体现在国内无自主产能,产品价格完全受制于国际三大厂商,无法自主掌控定价权,投资风险远高于 NAND 产品。

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  本文为虚构小说故事,地名人名均为虚构,请勿与现实关联。本文所用素材源于互联网,图片非真实图像,仅用于叙事呈现,如有侵权请联系删除!

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